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在电流密度为100mAµm-2条件下的最低过电位可达到38mV，开始在背栅电压为5V时的塔菲尔斜率值降低到没有电场时的一半。与一元过渡金属二硒化物(NiSe2,NS)相比，段市NFS具有更多氧化还原活性位点以及更快Mg2+扩散动力学，有助于提高可逆容量、延长循环寿命。综上所述，场化适当氧空位的引入明显减小了三氧化钼的带隙、场化增加了其范德华层间距，提高了材料的电子及离子电导率，因此提高了材料的容量（可逆性），倍率性能和循环稳定性。

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